Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±8 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 1.65 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 36@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TSOP |
| 标准包装名称 | TSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 3.05 |
| 引脚数 | 6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 6.3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 3W |
| 匹配代码 | SI3447CDV |
| 包装 | TSOP-6 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 15 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | P-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 5.6A |
| V（ DS ） | 12V |
| R（ DS上） | 0.068Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7.8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 36 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 910pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 8V |
| 封装/外壳 | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI3447CDV-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 6.3 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 36 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TSOP-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 零件号别名 | SI3447CDV-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �8 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TSOP |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 12 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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