所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6TSOP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 5.8 A |
| RDS -于 | 37@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 50|7 ns |
| 典型上升时间 | 120|86 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30|25 ns |
| 典型下降时间 | 40|10 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| Package Width | 1.65 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 37@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TSOP |
| 标准包装名称 | TSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 3.05 |
| 引脚数 | 6 |
| Package Height | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 5.8 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 37 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.2W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 640pF @ 10V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 20nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI3446ADV-T1-E3CT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single |
| 外形尺寸 | 3.05 x 1.65 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3.05mm |
| 最大漏源电阻 | 0.037 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TSOP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 13 nC V @ 10, 5.6 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 640 pF V @ 10 |
| 宽度 | 1.65mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 5.8 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS(ON) | 37 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 商品名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 封装/外壳 | TSOP-6 |
| 零件号别名 | SI3446ADV-E3 |
| 上升时间 | 120 ns, 86 ns |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 40 ns, 10 ns |
| Continuous Drain Current Id | :6A |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :65mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :12V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.8V |
| No. of Pins | :6 |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
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