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Thumbnail SI3446ADV-T1-E3 Thumbnail SI3446ADV-T1-E3 Thumbnail SI3446ADV-T1-E3 Thumbnail SI3446ADV-T1-E3 Thumbnail SI3446ADV-T1-E3
厂商型号:

SI3446ADV-T1-E3

芯天下内部编号:
5-SI3446ADV-T1-E3
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 6TSOP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 5.8 A
RDS -于 37@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 50|7 ns
典型上升时间 120|86 ns
典型关闭延迟时间 30|25 ns
典型下降时间 40|10 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
Package Width 1.65
PCB 6
最大功率耗散 2000
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 37@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TSOP
标准包装名称 TSOP
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 3.05
引脚数 6
Package Height 1(Max)
最大连续漏极电流 5.8
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.8V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 6-TSOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 37 mOhm @ 5.8A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.2W
输入电容(Ciss ) @ VDS 640pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 20nC @ 10V
封装/外壳 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI3446ADV-T1-E3CT
类别 Power MOSFET
配置 Quad Drain, Single
外形尺寸 3.05 x 1.65 x 1mm
身高 1mm
长度 3.05mm
最大漏源电阻 0.037 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TSOP
典型栅极电荷@ VGS 13 nC V @ 10, 5.6 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 640 pF V @ 10
宽度 1.65mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 5.8 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 37 mOhms
功率耗散 2 W
商品名 TrenchFET/PowerPAK
封装/外壳 TSOP-6
零件号别名 SI3446ADV-E3
上升时间 120 ns, 86 ns
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 40 ns, 10 ns
Continuous Drain Current Id :6A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :65mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :12V
Threshold Voltage Vgs :1.8V
No. of Pins :6
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900

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