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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SI2301CDS-T1-E3 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

5-SI2301CDS-T1-E3

#1

数量:12990
1+¥3.077
10+¥2.0581
100+¥1.2786
500+¥1.1487
1000+¥0.8616
3000+¥0.7863
6000+¥0.7385
9000+¥0.6906
24000+¥0.6359
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:4309
1+¥3.14
10+¥2.36
100+¥1.47
最小起订量:1
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:59176
1+¥3.3528
10+¥2.3889
100+¥1.5667
500+¥0.9259
1000+¥0.7123
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SI2301CDS-T1-E3产品详细规格

规格书 SI2301CDS-T1-E3 datasheet 规格书
SI2301CDS-T1-E3 datasheet 规格书
SI2301CDS-T1-E3 datasheet 规格书
SI2301CDS-T1-E3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 2.3 A
RDS -于 112@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 11 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型下降时间 10 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 860
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 112@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.3
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.6W
输入电容(Ciss ) @ VDS 405pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 10nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2301CDS-T1-E3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 2.3 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 112 mOhms
功率耗散 860 mW
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-236-3
零件号别名 SI2301CDS-E3
上升时间 35 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 35 ns
Continuous Drain Current Id :-3.1A
Drain Source Voltage Vds :-20V
On Resistance Rds(on) :0.11ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-2.5V
Threshold Voltage Vgs :-400mV
功耗 :1.6W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Weight (kg) 0.00005
Tariff No. 85412900
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.1A (Tc)

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