Vishay Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 235 mOhm @ 1A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 62pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 3nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 1.1 A |
| 封装/外壳 | SC-70-6 |
| 下降时间 | 9 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 3 ms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 系列 | SI1902CDL |
| RDS（ON） | 235 mOhms |
| 功率耗散 | 0.42 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 13 ns |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅极电荷Qg | 0.9 nC |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.1A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 0.75 mm |
| 宽度 | 2.05 mm |
| 长度 | 2.05 mm |
| 零件号别名 | SI1958DH-T1-GE3 |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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