1. SI1433DH-T1-E3
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SI1433DH-T1-E3 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 30V 1.9A 6-Pin SC-70 T/R

内部编号

5-SI1433DH-T1-E3

生产厂商

vishay / siliconix

vishay

#1

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美国费城
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SI1433DH-T1-E3产品详细规格

规格书 SI1433DH-T1-E3 datasheet 规格书
SI1433DH-T1-E3 datasheet 规格书
SI1433DH-T1-E3 datasheet 规格书
SI1433DH-T1-E3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.9A
Rds(最大)@ ID,VGS 150 mOhm @ 2.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 100µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 950mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装 SC-70-6
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6SC-70
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 1.9 A
RDS -于 150@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 11 ns
典型上升时间 17 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型下降时间 13 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.25
PCB 6
最大功率耗散 950
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 150@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SC-70
标准包装名称 SOT-323
最高工作温度 150
包装长度 2
引脚数 6
包装高度 1(Max)
最大连续漏极电流 1.9
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.9A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 100µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 SC-70-6 (SOT-363)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 150 mOhm @ 2.2A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 950mW
闸电荷(Qg ) @ VGS 5nC @ 4.5V
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI1433DH-T1-E3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 1.9 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 260 mOhms
功率耗散 950 mW
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-363-6
零件号别名 SI1433DH-E3
上升时间 17 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 17 ns
Continuous Drain Current Id :-1.9A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.12ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-3V
功耗 :950mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-363
No. of Pins :6
MSL :-
Weight (kg) 0.00005
Tariff No. 85412900

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