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厂商型号

SI1305DL-T1-E3 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 8V 0.86A 3-Pin SC-70 T/R

内部编号

5-SI1305DL-T1-E3

#1

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SI1305DL-T1-E3产品详细规格

规格书 SI1305DL-T1-E3 datasheet 规格书
SI1305DL-T1-E3 datasheet 规格书
SI1305DL
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 8V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 860mA
Rds(最大)@ ID,VGS 280 mOhm @ 1A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 450mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 4nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 290mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 SC-70-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SC-70
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 8 V
最大连续漏极电流 0.86 A
RDS -于 280@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 55 ns
典型关闭延迟时间 17 ns
典型下降时间 12 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-323
最低工作温度 -55
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 280@4.5V
最大漏源电压 8
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SC-70
最大功率耗散 290
最大连续漏极电流 0.86
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 860mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 450mV @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 8V
供应商设备封装 SC-70-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 280 mOhm @ 1A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 290mW
封装/外壳 SC-70, SOT-323
闸电荷(Qg ) @ VGS 4nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI1305DL-T1-E3CT

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