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规格书 |
SI1305DL |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 8V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 860mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 450mV @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 4nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
功率 - 最大 | 290mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SC-70, SOT-323 |
供应商器件封装 | SC-70-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SC-70 |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 8 V |
最大连续漏极电流 | 0.86 A |
RDS -于 | 280@4.5V mOhm |
最大门源电压 | ±8 V |
典型导通延迟时间 | 8 ns |
典型上升时间 | 55 ns |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
典型下降时间 | 12 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-323 |
最低工作温度 | -55 |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 280@4.5V |
最大漏源电压 | 8 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | SC-70 |
最大功率耗散 | 290 |
最大连续漏极电流 | 0.86 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 860mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 450mV @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
供应商设备封装 | SC-70-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 290mW |
封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 4nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | SI1305DL-T1-E3CT |
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