图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 900V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8 Ohm @ 1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 38nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 490pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 900 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A |
| RDS -于 | 8000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 21 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 典型下降时间 | 32 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 3100 |
| 最大漏源电压 | 900 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 8000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 800 |
| 最小起订量 | 800 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 Ohm @ 1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 490pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 38nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRFBF20STRLPBFCT |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.7 A |
| 正向跨导 - 闵 | 0.6 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 8 Ohms |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 38 nC |
| 上升时间 | 21 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 900 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 32 ns |
| 漏极电流（最大值） | 1.7 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 8 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 900 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 900V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 8 Ohm @ 1A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
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