CPV363M4UPBF

产品描述

TRANS IGBT MOD N-CH 600V 13A 13PIN IMS-2

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规格书
Status	Active
XPackage	13IMS-2
Package	13IMS-2
Packaging	Bulk
Channel Type	N
Configuration	Hex
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	5.7 A
产品种类	IGBT Transistors
配置	Hex
集电极 - 发射极最大电压VCEO	600 V
最大栅极发射极电压	20 V
最高工作温度	+ 150 C
封装/外壳	IMS-2-13
封装	Bulk
连续集电极电流Ic最大	13 A
最低工作温度	- 40 C
安装风格	Through Hole
工厂包装数量	160
供应商封装形式	IMS-2
最大栅极发射极电压	±20
最大连续集电极电流	11
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
标准包装名称	IMS-2
包装高度	21.97
安装	Through Hole
最大功率耗散	36000
渠道类型	N
最大集电极发射极电压	600
包装宽度	7.87
PCB	13
包装长度	62.43
最低工作温度	-40
引脚数	13

型号	厂家	产品描述
CPV363M4F	vishay / semiconductor	Trans IGBT Module N-CH 600V 16A 13-Pin IMS-2
CPV363M4FPBF	vishay / semiconductor	TRANS IGBT MOD N-CH 600V 16A 13PIN IMS-2
CPV363M4K	vishay / semiconductor	Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2
CPV363M4KPBF	vishay / semiconductor	Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2
CPV363M4U	vishay / semiconductor	Trans IGBT Module N-CH 600V 13A 13-Pin IMS-2

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