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厂商型号:

3N163-E3

芯天下内部编号:
5-3N163-E3
生产厂商:

vishay / siliconix

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4TO-206AF
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 40 V
最大连续漏极电流 0.05 A
RDS -于 250000@20V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 5 ns
典型上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-206AF
最低工作温度 -55
Maximum Drain Source Resistance 250000@20V
最大漏源电压 40
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-206AF
最大功率耗散 375
最大连续漏极电流 0.05
引脚数 4
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 50mA
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 10µA
封装/外壳 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供应商设备封装 TO-72
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 250 Ohm @ 100µA, 20V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 375mW
漏极至源极电压(Vdss) 40V
输入电容(Ciss ) @ VDS 3.5pF @ 15V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 200
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 0.05 A
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 375 mW
最低工作温度 - 55 C
上升时间 13 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant
漏极电流(最大值) 0.05 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �30 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 250 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-206AF
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 40 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :50mA
Drain Source Voltage Vds :-40V
On Resistance Rds(on) :180ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-20V
Threshold Voltage Vgs :-2.5V
功耗 :375mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-206AF
No. of Pins :4
MSL :-
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 50mA (Ta)

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