图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:300 |
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最小起订量:100 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:39819 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:3177 |
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最小起订量:1 加州 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 2N7002K Datasheet |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 300mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 0.6nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 30pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.3 A |
| RDS -于 | 2000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 25(Max) ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35(Max) ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 2000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3.04(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 1.02(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 0.2W |
| 匹配代码 | 2N7002K |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 15 weeks |
| 最小起订量 | 9000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 0.3A |
| V（ DS ） | 60V |
| R（ DS上） | 2Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 300mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 30pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 2N7002K-T1-E3CT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm |
| 身高 | 1.02mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大漏源电阻 | 2 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.35 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-23, TO-236 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 0.4 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 30 pF V @ 25 |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.115 A |
| 系列 | 2N7002K |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 7.5 Ohms |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 零件号别名 | 2N7002K-E3 |
| 漏源击穿电压 | 70 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 0.3 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 2 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :500mA |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :7.5ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| ChannelType | N |
| Current,Drain | 300mA |
| GateCharge,Total | 0.4nC |
| OperatingandStorageTemperature | –55to+150°C |
| PackageType | TO-236(SOT-23) |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 0.35W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 2Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | –55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 35ns |
| Time,Turn-OnDelay | 25ns |
| Transconductance,Forward | 100mS |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 60V |
| Voltage,DiodeForward | 1.3V |
| Voltage,DraintoSource | 60V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.3V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
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