Central Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 5.3 A |
| 系列 | CXDM6053N |
| RDS（ON） | 52 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 1.2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-89 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 8.8 nC |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-89 |
| 其他名称 | CXDM6053N TR LEAD FREE |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 41 mOhm @ 5.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.2W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.3A (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 920pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.8nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 通道模式 | Enhancement |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 5.3 A |
| Pd - Power Dissipation | 1.2 W |
| Qg - Gate Charge | 8.8 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 52 mOhms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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