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厂商型号

2N5401 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Gen Pr Amp

内部编号

468-2N5401

生产厂商

Central Semiconductor

central-semiconductor

#1

数量:7199
1+¥3.4227
10+¥2.8778
100+¥2.1598
500+¥1.5839
1000+¥1.2239
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:9692
1+¥3.624
10+¥3.0838
100+¥1.6274
1000+¥1.4564
2500+¥1.2376
10000+¥1.1556
25000+¥1.094
50000+¥1.0667
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

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2N5401产品详细规格

规格书 2N5401 datasheet 规格书
2N5401 datasheet 规格书
Status Active
工厂包装数量 2500
集电极 - 发射极饱和电压 0.5 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 625 mW
系列 2N5401
直流集电极/增益hfe最小值 50 at 1 mA at 5 V
集电极最大直流电流 0.6 A
增益带宽产品fT 300 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 150 V
安装风格 Through Hole
封装 Bulk
集电极 - 基极电压VCBO 160 V
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 TO-92
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS No
连续集电极电流 - 600 mA
宽度 4.19 mm
品牌 Central Semiconductor
长度 5.21 mm
身高 5.33 mm
Pd - Power Dissipation 625 mW

2N5401系列产品

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