Central Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流 | 0.1 nA |
| 系列 | 2N4393 |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 100 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 功率耗散 | 1.8 W |
| 封装/外壳 | TO-18 |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 5 mA to 30 mA |
| 配置 | Single |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 40V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 5mA @ 20V |
| 电阻 - RDS（ON） | 100 Ohm |
| 供应商设备封装 | TO-18 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 500mV @ 1nA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 标准包装 | 2,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 14pF @ 20V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 0.1 nA |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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