图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Status | Active |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 漏源电压VDS | 35 V |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 35 V |
| 连续漏极电流 | 15 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 0.0045 S to 0.0075 S |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 封装/外壳 | TO-72 |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 5 mA to 15 mA |
| 配置 | Single |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 35V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 5mA @ 15V |
| 供应商设备封装 | TO-72 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 2.5V @ 1nA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 35V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4pF @ 15V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 35 V |
| 系列 | 2N4416 |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 15 mA |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 35 V |
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