Advanced Linear Devices Inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 系列 | * |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | 0 C |
| 源极击穿电压 | 10.6 V |
| 连续漏极电流 | 70 mA |
| RDS（ON） | 25 Ohms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 商品名 | EPAD |
| 封装/外壳 | SOIC-16 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 配置 | Quad |
| 最高工作温度 | + 70 C |
| 漏源击穿电压 | 10 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 20mV @ 10µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 10.6V |
| 供应商设备封装 | 16-SOIC |
| FET型 | 4 N-Channel, Matched Pair |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 700mA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.4 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10.6 V |
| 品牌 | Advanced Linear Devices |
| 通道数 | 4 Channel |
| 晶体管类型 | 4 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 70 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 25 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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