图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:53 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 ALD114835,935 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 10.6V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 540 Ohm @ 0V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.45V @ 1µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12mA, 3mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.45V @ 1µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 10.6V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 540 Ohm @ 0V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2.5pF @ 5V |
| 其他名称 | 1014-1068 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10.6 V |
| 连续漏极电流 | 12 mA |
| 系列 | ALD114935S |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| RDS（ON） | 540 Ohms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 最低工作温度 | 0 C |
| 正向跨导 - 闵 | 0.0014 S |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 70 C |
| 漏源击穿电压 | 10 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
ALD114935SAL也可以通过以下分类找到
ALD114935SAL相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
