Advanced Linear Devices
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.01V @ 1µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 10V |
| 供应商设备封装 | 16-PDIP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 500 Ohm @ 5V |
| FET型 | 4 N-Channel, Matched Pair |
| 功率 - 最大 | 600mW |
| 标准包装 | 25 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 25pF @ 5V |
| 封装/外壳 | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10.6 V |
| 连续漏极电流 | 12 mA |
| 系列 | ALD1108EP |
| RDS（ON） | 500 Ohms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 最低工作温度 | 0 C |
| 封装/外壳 | PDIP-16 |
| 配置 | Quad Dual Common Source |
| 最高工作温度 | + 70 C |
| 漏源击穿电压 | 10 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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