CEL
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| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 1.4dB @ 1GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 6.5GHz |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| 供应商设备封装 | SOT-89 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 50 @ 20mA, 10V |
| 其他名称 | NE85634A |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 3 V |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar |
| 晶体管极性 | NPN |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 120 |
| 最大工作频率 | 6.5 GHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 2 W |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 最低工作温度 | + 25 C |
| 集电极最大直流电流 | 100 mA |
| 配置 | Single Dual Collector |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 20 mA |
| 频率 - 跃迁 | 6.5GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 20mA, 10V |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 1.4dB @ 1GHz |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 12V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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