厂商型号:

NE85630-A

芯天下内部编号:
440-NE85630-A
生产厂商:

CEL

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
噪声系数(dB典型值@频率) 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 4.5GHz
标准包装 1
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 12V
供应商设备封装 SOT-323
封装 Bulk
功率 - 最大 150mW
增益 6dB ~ 12dB
封装/外壳 SC-70, SOT-323
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 7mA, 3V
其他名称 NE85630A
发射极 - 基极电压VEBO 3 V
产品种类 Transistors RF Bipolar
晶体管极性 NPN
直流集电极/增益hfe最小值 40
集电极 - 发射极最大电压VCEO 12 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 0.150 W
配置 Single
类型 RF Bipolar Small Signal
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A
频率 - 跃迁 4.5GHz
晶体管类型 NPN
增益 6dB ~ 12dB
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 7mA, 3V
封装/外壳 SC-70, SOT-323
功率 - 最大值 150mW
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
工厂包装数量 1
增益带宽产品fT 4.5 GHz
直流电流增益hFE最大值 250
技术 Si
Pd - Power Dissipation 0.150 W
品牌 CEL

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