UPA810T-A

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Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency

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规格书	RF Wireless Brochure UPA810T
标准包装	1
晶体管类型	2 NPN (Dual)
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	12V
频率转换	4.5GHz
噪声系数 (dB Typ @ f)	1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz
增益	7dB ~ 9dB
功率 - 最大	200mW
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	70 @ 7mA, 3V
集电极电流（Ic）（最大）	100mA
安装类型	Surface Mount
包/盒	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装	6-SO
包装材料	Bulk
动态目录	NPN RF Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-rf-transistors/17062?mpart=UPA810T-A&vendor=51&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	100mA
噪声系数（dB典型值@频率）	1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz
晶体管类型	2 NPN (Dual)
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	4.5GHz
标准包装	1
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	12V
供应商设备封装	6-SO
封装	Bulk
功率 - 最大	200mW
增益	7dB ~ 9dB
封装/外壳	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	70 @ 7mA, 3V
其他名称	UPA810TA
发射极 - 基极电压VEBO	3 V
产品种类	Transistors RF Bipolar
晶体管极性	NPN
直流集电极/增益hfe最小值	70
集电极 - 发射极最大电压VCEO	12 V
安装风格	SMD/SMT
功率耗散	0.110 W, 0.2 W
配置	Single
类型	RF Bipolar Small Signal
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	0.1 A

型号	厂家	产品描述
UPA810T	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363
UPA810T	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
UPA810T-T1	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
UPA810T-T1-A	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
UPA810T-T1-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
UPA810TC-T1	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin Case TC T/R

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