NE85639-A

产品描述

Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency

内部编号

生产厂商

数量:249

最小起订量:1
美国加州
当天发货，5-8个工作日送达.

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮

全场免运费 /报价不含任何销售税

支付方式

规格书	NE856 Series RF Wireless Brochure
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1
晶体管类型	NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	12V
频率转换	9GHz
噪声系数（dB的典型@ F）	1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
增益	13.5dB
功率 - 最大	200mW
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	50 @ 20mA, 10V
- 集电极电流（Ic）（最大）	100mA
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-253-4, TO-253AA
供应商器件封装	SOT-143
包装材料	Bulk
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	100mA
噪声系数（dB典型值@频率）	1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
晶体管类型	NPN
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	9GHz
标准包装	1
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	12V
供应商设备封装	SOT-143
封装	Bulk
功率 - 最大	200mW
增益	13.5dB
封装/外壳	TO-253-4, TO-253AA
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	50 @ 20mA, 10V
发射极 - 基极电压VEBO	3 V
产品种类	Transistors RF Bipolar
晶体管极性	NPN
集电极 - 发射极最大电压VCEO	12 V
安装风格	SMD/SMT
功率耗散	0.2 W
配置	Single
类型	RF Bipolar Small Signal
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	0.1 A

型号	厂家	产品描述
NE85639	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE85639-T1	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R
NE85639-T1	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE85639-T1-A	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R
NE85639-T1-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE85639R	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE85639R-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE85639R-T1	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R
NE85639R-T1	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE85639R-T1-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency

NE85639-A也可以通过以下分类找到

NE85639-A相关搜索

咨询QQ

综合类：

热线电话