NE68519-A

产品描述

Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency

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规格书	NE685 Series RF Wireless Brochure
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1
晶体管类型	NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	6V
频率转换	12GHz
噪声系数（dB的典型@ F）	1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益	7.5dB
功率 - 最大	125mW
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	75 @ 10mA, 3V
- 集电极电流（Ic）（最大）	30mA
安装类型	Surface Mount
包/盒	SC-75, SOT-416
供应商器件封装	3-SuperMiniMold
包装材料	Bulk
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	30mA
噪声系数（dB典型值@频率）	1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
晶体管类型	NPN
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	12GHz
标准包装	1
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	6V
供应商设备封装	3-SuperMiniMold (19)
封装	Bulk
功率 - 最大	125mW
增益	7.5dB
封装/外壳	SOT-523
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	75 @ 10mA, 3V
其他名称	NE68519A
发射极 - 基极电压VEBO	2 V
产品种类	Transistors RF Bipolar
晶体管极性	NPN
直流集电极/增益hfe最小值	75
集电极 - 发射极最大电压VCEO	6 V
安装风格	SMD/SMT
功率耗散	0.125 W
配置	Single
类型	RF Bipolar Small Signal
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	30 mA

型号	厂家	产品描述
NE68519	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal USE 551-NE68519-A
NE68519-T1	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R
NE68519-T1	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE68519-T1-A	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R
NE68519-T1-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency

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