NE68130-A

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Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency

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规格书	RF Wireless Brochure NE681 Series NE68119 Model
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1
晶体管类型	NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	10V
频率转换	7GHz
噪声系数（dB的典型@ F）	1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益	9dB ~ 13.5dB
功率 - 最大	150mW
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	40 @ 7mA, 3V
- 集电极电流（Ic）（最大）	65mA
安装类型	Surface Mount
包/盒	SC-70, SOT-323
供应商器件封装	SOT-323
包装材料	Bulk
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	65mA
噪声系数（dB典型值@频率）	1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz
晶体管类型	NPN
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	7GHz
标准包装	1
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	10V
供应商设备封装	SOT-323
封装	Bulk
功率 - 最大	150mW
增益	9dB ~ 13.5dB
封装/外壳	SC-70, SOT-323
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	40 @ 7mA, 3V
发射极 - 基极电压VEBO	1.5 V
产品种类	Transistors RF Bipolar
晶体管极性	NPN
直流集电极/增益hfe最小值	40
集电极 - 发射极最大电压VCEO	10 V
安装风格	SMD/SMT
功率耗散	0.150 W
配置	Single
类型	RF Bipolar Small Signal
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	0.065 A

型号	厂家	产品描述
NE68130	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin SOT-323
NE68130	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal USE 551-NE68130-A
NE68130-T1	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin SOT-323 T/R
NE68130-T1	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE68130-T1-A	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin SOT-323 T/R
NE68130-T1-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency

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