NE68030-A

产品描述

Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency

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美国加州
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规格书	NE680 Series RF Wireless Brochure
标准包装	1
晶体管类型	NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	10V
频率转换	10GHz
噪声系数 (dB Typ @ f)	1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz
增益	5.3dB ~ 12.5dB
功率 - 最大	150mW
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	50 @ 10mA, 6V
集电极电流（Ic）（最大）	35mA
安装类型	Surface Mount
包/盒	SC-70, SOT-323
供应商器件封装	SOT-323
包装材料	Bulk
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	35mA
噪声系数（dB典型值@频率）	1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz
晶体管类型	NPN
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	10GHz
标准包装	1
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	10V
供应商设备封装	SOT-323
封装	Bulk
功率 - 最大	150mW
增益	5.3dB ~ 12.5dB
封装/外壳	SC-70, SOT-323
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	50 @ 10mA, 6V
发射极 - 基极电压VEBO	1.5 V
产品种类	Transistors RF Bipolar
晶体管极性	NPN
类型	RF Bipolar Small Signal
最大工作频率	2 GHz
安装风格	SMD/SMT
功率耗散	150 mW
集电极 - 发射极最大电压VCEO	10 V
最低工作温度	- 65 C
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	35 mA

型号	厂家	产品描述
NE68030	NEC/CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE68030-T1	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 10V 0.035A 3-Pin SOT-323 T/R
NE68030-T1-A	California Eastern Laboratories	Trans GP BJT NPN 10V 0.035A 3-Pin SOT-323 T/R
NE68030-T1-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency
NE68030-T1-R44-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN Silicon AMP Oscilltr Transist
NE68030-T1-R45-A	CEL	Transistors RF Bipolar Small Signal NPN Silicon AMP Oscilltr Transist

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