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数量:199 |
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| 规格书 |
 NE662M04 RF Wireless Brochure |
| 标准包装 | 1 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 3.3V |
| 频率转换 | 25GHz |
| 噪声系数 (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| 增益 | 20dB |
| 功率 - 最大 | 115mW |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 50 @ 5mA, 2V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 35mA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-343F |
| 供应商器件封装 | M04 |
| 包装材料 | Bulk |
| 动态目录 | NPN RF Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-rf-transistors/17062?mpart=NE662M04-A&vendor=51&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 35mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 25GHz |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 3.3V |
| 供应商设备封装 | M04 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 115mW |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 50 @ 5mA, 2V |
| 其他名称 | NE662M04A |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 1.5 V |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar |
| 晶体管极性 | NPN |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 70 |
| 最大工作频率 | 25 GHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 0.115 W |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 3.3 V |
| 配置 | Single |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.035 A |
| 频率 - 跃迁 | 25GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 增益 | 20dB |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 5mA, 2V |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 功率 - 最大值 | 115mW |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 35mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 3.3V |
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