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| 规格书 |
 NE5511279A RF Wireless Brochure |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 900MHz |
| 增益 | 15dB |
| 电压 - 测试 | 7.5V |
| 额定电流 | 3A |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 400mA |
| Power - 输出功率 | 40dBm |
| 电压 - 额定 | 20V |
| 包/盒 | 79A |
| 供应商器件封装 | 79A |
| 包装材料 | Bulk |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 20V |
| 标准包装 | 1 |
| 供应商设备封装 | 79A |
| 电压 - 测试 | 7.5V |
| 封装 | Bulk |
| 频率 | 900MHz |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD, Flat Leads |
| 电流 - 测试 | 400mA |
| 额定电流 | 3A |
| 功率 - 输出 | 40dBm |
| 其他名称 | NE5511279AA |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 6 V |
| 连续漏极电流 | 3 A |
| 正向跨导 - 闵 | 0.0023 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 20 W |
| 输出功率 | 40 dBm |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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