图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 RF Wireless Brochure NE461M02 |
| 标准包装 | 1 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| 频率转换 | - |
| 噪声系数 (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 增益 | - |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 40 @ 50mA, 10V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 250mA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | SOT-89 |
| 包装材料 | Bulk |
| 动态目录 | NPN RF Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-rf-transistors/17062?mpart=NE461M02-AZ&vendor=51&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 250mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| 供应商设备封装 | SOT-89 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 40 @ 50mA, 10V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 3 V |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar |
| 晶体管极性 | NPN |
| 类型 | Silicon Epitaxial Bipolar Transistor |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 最大工作频率 | 3 GHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 2 W |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 最低工作温度 | + 25 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 连续集电极电流 | 250 mA |
| 工厂包装数量 | 1 |
| 技术 | Si |
| 身高 | 1.5 mm |
| 长度 | 4.5 mm |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 工作频率 | 3 GHz |
| 品牌 | CEL |
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