NE3511S02-A

产品描述

Transistors RF GaAs X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch

内部编号

生产厂商

数量:615

最小起订量:1
美国费城
当天发货，5-8个工作日送达.

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮

全场免运费 /报价不含任何销售税

支付方式

规格书	RF Wireless Brochure NE3511S02
标准包装	1
晶体管类型	HFET
频率	12GHz
增益	13.5dB
电压 - Test	2V
当前 Rating	70mA
噪声系数	0.3dB
当前 - Test	10mA
Power - 输出功率	-
电压 - 额定	4V
包/盒	4-SMD, Flat Leads
供应商器件封装	S02
包装材料	Bulk
动态目录	RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17284?mpart=NE3511S02-A&vendor=51&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
晶体管类型	HFET
电压 - 额定	4V
噪声系数	0.3dB
标准包装	1
供应商设备封装	S02
电压 - 测试	2V
封装	Bulk
频率	12GHz
增益	13.5dB
封装/外壳	4-SMD, Flat Leads
电流 - 测试	10mA
额定电流	70mA
其他名称	NE3511S02A
类型	GaAs HEMT
漏源电压VDS	4 V
产品种类	Transistors RF JFET
源极击穿电压	- 3 V
连续漏极电流	70 mA
正向跨导 - 闵	65 mS
产品	RF JFET
安装风格	SMD/SMT
功率耗散	165 mW
最高工作温度	+ 125 C
栅源截止电压	- 0.7 V
RoHS	RoHS Compliant
电流 - 测试	10mA
噪声系数	0.3dB
晶体管类型	HFET
电压 - 测试	2V
增益	13.5dB
额定电流	70mA
封装/外壳	4-SMD, Flat Leads
频率	12GHz
电压 - 额定	4V

型号	厂家	产品描述
NE3511S02-T1C-A	California Eastern Laboratories	Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Case S02 T/R
NE3511S02-T1C-A	CEL	Transistors RF GaAs SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

NE3511S02-A也可以通过以下分类找到

NE3511S02-A相关搜索

咨询QQ

综合类：

热线电话