厂商型号:

PT12-21C/TR8

芯天下内部编号:
411-PT12-21C-TR8
生产厂商:

everlight electronics

microsemi
描述:
P
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 2SMD
类型 IR Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 5 V
最大集电极电流 50 mA
峰值波长 940 nm
镜片颜色 Water Clear
透镜形状类型 Domed
镜头规格 2x1 mm
观看方向 Side View
最大上升时间 15000(Typ) ns
极性 NPN
截止滤光片 Visible Cut-off
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Phototransistors
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 75 mW
最大暗电流 100 nA
封装/外壳 SMD
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
集电极 - 发射极击穿电压 30 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.4 V
下降时间 15 us
最高工作温度 + 85 C
最低工作温度 - 25 C
封装 Reel
产品 Phototransistors
上升时间 15 us
波长 940 nm
Maximum Light Current 1140(Typ)
安装 Surface Mount
最大集电极发射极饱和电压 0.4
Package Width 1
PCB 2
最大功率耗散 75
引脚数 2
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的通道数 1
Maximum Fall Time 15000(Typ)
最大暗电流 100
峰值波长 940
最低工作温度 -25
供应商封装形式 SMD
标准包装名称 SMD
最高工作温度 85
最大的发射极集电极电压 5
Package Length 3
最大集电极发射极电压 30
Package Height 2
最大集电极电流 50
最大上升时间 15000(Typ)
铅形状 No Lead
倒V / VECO 5V
匹配代码 PT12-21C/TR8
Photo curr.min. 300µA
V( CEO ) 30V
电源dissip 75mW
单位包 2000
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 2000
Sens.range分 400nm
上升/下降时间 15000ns
正向V / VCEO 30V
Op.temp.min. -25°C
SMD / THT SMD
暗电流为100nA 100nA
汽车 NO
Op.temp.max. 85°C
Max.sensivity 940nm
Sens.range最大 1100nm
电流 - 暗( Id)(最大) 100nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
定位 Side View
安装类型 Surface Mount, Right Angle
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
功率 - 最大 75mW
封装/外壳 2-SMD, No Lead
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 1080-1378-1

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