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厂商型号:

VND1NV04TR-E

芯天下内部编号:
390-VND1NV04TR-E
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
P
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-252
类型 Low Side
输出数 1
工作电源电压范围 45(Max) V
最小输出电流 1.7 A
电源电流 0.1 mA
最大功率耗散 35000 mW
开关导通电阻 0.25(Max) Ohm
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Power Switch ICs - Power Distribution
RoHS RoHS Compliant
开启电阻(最大值) 250 mOhms
电源电流(最大值) 0.1 mA
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 TO-252
输出电流 1.7 A
封装 Reel
工厂包装数量 2500
供应商封装形式 TO-252
欧盟RoHS指令 Compliant
标准包装名称 DPAK
电源电流 0.1
开关导通电阻 0.25(Max)
最大功率耗散 35000
最小输出电流 1.7
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
匹配代码 VND1NV04TR-E
单位包 2500
标准的提前期 42 weeks
最小起订量 2500
OL Detec.ad关 NY/N/NA/NAN
OL检测 NANY/N/NA/NAN
通道 1
V( OP ,最大) 40V
T(j,min) -40°C
OL Detec.ad开 NY/N/NA/NAN
无铅Defin RoHS-conform
我( LIM ,分) /通道 1.7A
汽车 AEC-Q(100)
T(j,max) 150°C
R(上,典型值) /通道 250mOhm
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 D-Pak
导通状态电阻 250 mOhm
输入类型 Non-Inverting
电流 - 峰值输出 1.7A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
连续漏极电流 1.7 A
正向跨导 - 闵 2 S
RDS(ON) 250 mOhms
功率耗散 35 W
典型关闭延迟时间 350 ns
上升时间 170 ns
漏源击穿电压 40 V
下降时间 200 ns
开关类型 Low Side
包装类型 TO-252
弧度硬化 No
电源开关系列 VND1NV04
电源开关导通电阻 0.25 ohm
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :500mA
Drain Source Voltage Vds :55V
On Resistance Rds(on) :250mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :5V
Threshold Voltage Vgs :2.5V
功耗 :35W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 3 - 168 hours
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :1.7A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vds Typ :45V
Voltage Vgs Rds on Measurement :5V
Weight (kg) 0.00195
Tariff No. 85412900
案例 DPAK
Transistor type N-MOSFET x2
Drain-source voltage 40V
极化 unipolar
Drain current 1.7A
Multiplicity 1
Gross weight 0.56 g
Collective package [pcs] 2500
spg 2500

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