stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 25@1A@4V|10@3A@4V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@375mA@3A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| P（ TOT ） | 40W |
| 匹配代码 | TIP31C |
| I（C ） | 3A |
| V（ CEO ） | 100V |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 50 |
| 极化 | NPN |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 50 |
| V（ CBO ） | 100V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 300µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 10 @ 3A, 4V |
| 其他名称 | 497-2615-5 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 9.15 x 10.4 x 4.6mm |
| 身高 | 9.15mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大集电极基极电压 | 100 V |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-220 |
| 宽度 | 4.6mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 10 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 3 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 3 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 功率耗散 | 2 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 25 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 25 |
| 集电极电流（DC ） | 3 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
| 功耗 | :40W |
| DC Collector Current | :3A |
| DC Current Gain hFE | :50 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :1.2V |
| Current Ic hFE | :1A |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Gain Bandwidth ft Min | :3MHz |
| Hfe Min | :25 |
| No. of Transistors | :1 |
| Voltage Vcbo | :100V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Base | 1A |
| Current,Collector | 3A |
| Current,CollectorCutoff | 0.2mA |
| Current,Gain | 25 |
| Gain,DCCurrent,Maximum | 50 |
| Gain,DCCurrent,Minimum | 25 |
| PackageType | TO-220 |
| 极性 | NPN |
| PowerDissipation | 40W |
| PrimaryType | Si |
| Temperature,Operating,Maximum | 150°C |
| ThermalResistance,JunctiontoAmbient | 62.5°C/W |
| TransistorType | NPN |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 100V |
| Voltage,CollectortoBase | 100V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 100V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 1.2V |
| Voltage,EmittertoBase | 5V |
| Voltage,Saturation,CollectortoEmitter | 1.2V |
| 案例 | TO220 |
| Transistor type | NPN |
| 功率 | 40W |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 115V |
| Gross weight | 2.7 g |
| Collector current | 3A |
| Collective package [pcs] | 150 |
| spg | 150 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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