STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大漏源电阻 | 12@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | Max247 |
| 最大功率耗散 | 450000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 130 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 130A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | MAX-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 12 mOhm @ 65A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 450W |
| 封装/外壳 | MAX247™ |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 11100pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 338nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 130 A |
| RDS（ON） | 10 mOhms |
| 功率耗散 | 450 W |
| 栅极电荷Qg | 338 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 283 ns |
| 上升时间 | 218 ns |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 250 ns |
| 工厂包装数量 | 600 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 338 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 130 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms |
| 系列 | N-channel STripFET |
| Pd - Power Dissipation | 450 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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