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stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 400 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 10@10mA@5V|16@0.35A@5V|4@1A@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.1A@0.5A|1@50mA@0.35A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1500 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 12 |
| 封装 | Bag |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 400 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 5000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 50mA, 350mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 16 @ 350mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 12 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 4 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 32 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 700 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :400V |
| 功耗 | :1.5W |
| DC Collector Current | :500mA |
| DC Current Gain hFE | :25 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-92 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :500mV |
| 连续集电极电流Ic最大 | :1A |
| Current Ic Continuous a Max | :500mA |
| Current Ic hFE | :1A |
| Hfe Min | :4 |
| No. of Transistors | :1 |
| Power Dissipation Ptot Max | :1.5W |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vcbo | :400V |
| Voltage Vces | :700V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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