stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SO N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| RDS -于 | 50@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 100 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 22 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16 |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 50@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SO N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 1.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 4 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 50 mOhm @ 2A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 330pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-5251-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| 单位重量 | 0.002998 oz |
| RDS（ON） | 50 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 上升时间 | 100 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 22 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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