stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| RDS -于 | 18@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 35 ns |
| 典型上升时间 | 190 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| 典型下降时间 | 80 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±16 |
| Package Width | 4.6(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 300000 |
| 最大漏源电压 | 55 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 18@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 175 |
| Package Length | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 9.15(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 80 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 210W |
| 匹配代码 | STP80PF55 |
| R（ THJC ） | 0.5K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 50 |
| Q（克） | 258nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | -80A |
| V（ DS ） | -55V |
| 技术 | StripFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.018Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 18 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5500pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-2729-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 258nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
| 身高 | 9.15mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大漏源电阻 | 0.018 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 190 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 5500 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.6mm |
| 漏极电流（最大值） | 80 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 300 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.018 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :80A |
| Drain Source Voltage Vds | :55V |
| On Resistance Rds(on) | :18mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-3V |
| 功耗 | :300W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :80A |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| 引线间距 | :2.54mm |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Pin Format | :1 g |
| Voltage Vds Typ | :-55V |
| Voltage Vgs Max | :3V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :-10V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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