STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±30 |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 4.6(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 90000 |
| 最大漏源电压 | 950 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 1250@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 9.15(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 950V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.25 Ohm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 450pF @ 100V |
| 其他名称 | 497-12865-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 9 A |
| RDS（ON） | 1.25 Ohms |
| 功率耗散 | 90 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 950 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 13 nC |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 950 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源极电压 (Vdss) | 950V |
| 系列 | SuperMESH5™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 450pF @ 100V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.25 Ohm @ 3A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 功率 - 最大值 | 90W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.25 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 950 V |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 系列 | MDmesh K5 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Qg - Gate Charge | 13 nC |
| P（ TOT ） | 90 W |
| Logic level | NO |
| V（ DS ） | 950 V |
| 包装 | TO220 |
| I(D)at Tc=25°C | 9 A |
| Q（克） | 13 nC |
| Configuartion | N-CH |
| 汽车 | NO |
| RDS(on)at 10V | 1250 mOhm |
| R（ THJC ） | 1.39 K/W |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| Fast bodydiode | NO |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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