STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 320 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 816pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-10650-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 身高 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电阻 | 0.32 Ω |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大门源电压 | ±25 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 90 W |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-220 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 27 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 816 pF V @ 50 |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 典型导通延迟时间 | 10.2 ns |
| 宽度 | 4.6mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | 2 V |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| RDS（ON） | 900 mOhms |
| 功率耗散 | 90 W |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 上升时间 | 9 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 32 ns |
| 漏极电流（最大值） | 12 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �25 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 安装 | Through Hole |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.32 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :12A |
| Drain Source Voltage Vds | :500V |
| On Resistance Rds(on) | :0.28ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :90W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.0023 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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