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厂商型号:

STP10NK70Z

芯天下内部编号:
390-STP10NK70Z
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 700 V
最大连续漏极电流 8.6 A
RDS -于 850@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 22 ns
典型上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 46 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
Package Width 4.6(Max)
PCB 3
最大功率耗散 150000
最大漏源电压 700
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 850@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 10.4(Max)
引脚数 3
Package Height 9.15(Max)
最大连续漏极电流 8.6
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8.6A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 100µA
漏极至源极电压(Vdss) 700V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 850 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 150W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 2000pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 90nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :8.6A
Drain Source Voltage Vds :700V
On Resistance Rds(on) :850mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3.75V
功耗 :150W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Avalanche Single Pulse Energy Eas :350mJ
Capacitance Ciss Typ :2000pF
Current Iar :8.6A
Current Id Max :8.6A
On State resistance @ Vgs = 10V :850mohm
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Pulse Current Idm :34A
端接类型 :Through Hole
Voltage Vds :700V
Voltage Vds Typ :700V
Voltage Vgs Max :30V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Voltage Vgs th Max :4.5V
Voltage Vgs th Min :3V
Weight (kg) 0.00204
Tariff No. 85412900

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