stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-223 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| RDS -于 | 100@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 25 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16 |
| Package Width | 3.5 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 3300 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 100@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 6.5 |
| 引脚数 | 4 |
| Package Height | 1.8(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 4 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 2.5W |
| 匹配代码 | STN3NF06L |
| 单位包 | 4000 |
| 标准的提前期 | 13 weeks |
| 最小起订量 | 4000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 3A |
| V（ DS ） | 60V |
| R（ DS上） | 0.1Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.8V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 100 mOhm @ 1.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.3W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 340pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-3177-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9nC @ 5V |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain, Single |
| 外形尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.8mm |
| 身高 | 1.8mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 最大漏源电阻 | 0.1 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 3.3 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 7 nC V @ 5 |
| 典型输入电容@ VDS | 340 pF V @ 25 |
| 宽度 | 3.5mm |
| 漏极电流（最大值） | 4 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 3.3 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.1 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :4A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :100mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2.8V |
| 功耗 | :3.3W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-223 |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :4A |
| On State Resistance @ Vgs = 4.5V | :120mohm |
| On State resistance @ Vgs = 10V | :100mohm |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :16A |
| SMD Marking | :N3NF06 |
| Voltage Vds Typ | :60V |
| Voltage Vgs Max | :2.8V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :2.8V |
| Voltage Vgs th Min | :1V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 案例 | SOT223 |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 3.3W |
| Drain-source voltage | 60V |
| Drain current | 4A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.38 g |
| Collective package [pcs] | 1 |
| spg | 1 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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