所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大漏源电阻 | 3800@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 450 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.6 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 4000 |
| 最小起订量 | 8000 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 600mA (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 450V |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.8 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 4,000 |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 150pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-10649-2 |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 6nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.8mm |
| 身高 | 1.8mm |
| 长度 | 6.7mm |
| 最大连续漏极电流 | 0.6 A |
| 最大漏源电阻 | 3.8 Ω |
| 最大漏源电压 | 450 V |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 6 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 150 pF V @ 25 |
| 宽度 | 3.7mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 3 V |
| 连续漏极电流 | 0.6 A |
| RDS(ON) | 3.8 Ohms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 450 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 6 nC |
| 栅源电压(最大值) | �30 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 450 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :600mA |
| Drain Source Voltage Vds | :450V |
| On Resistance Rds(on) | :3.2ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3.75V |
| 功耗 | :2W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-223 |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.011 |
| Tariff No. | 85412900 |
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