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厂商型号:

STN3N45K3

芯天下内部编号:
390-STN3N45K3
生产厂商:

STMicroelectronics

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
Maximum Gate Source Voltage ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SOT-223
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tube
最大漏源电阻 3800@10V
Maximum Drain Source Voltage 450
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-223
最大功率耗散 2000
Maximum Continuous Drain Current 0.6
引脚数 4
铅形状 Gull-wing
单位包 4000
最小起订量 8000
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 600mA (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 50µA
漏极至源极电压(Vdss) 450V
供应商设备封装 SOT-223
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.8 Ohm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2W
标准包装 4,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 150pF @ 25V
其他名称 497-10649-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 6nC @ 10V
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm
身高 1.8mm
长度 6.7mm
最大连续漏极电流 0.6 A
最大漏源电阻 3.8 Ω
最大漏源电压 450 V
最大门源电压 ±30 V
最大功率耗散 2 W
包装类型 SOT-223
典型栅极电荷@ VGS 6 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 150 pF V @ 25
宽度 3.7mm
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 3 V
连续漏极电流 0.6 A
RDS(ON) 3.8 Ohms
功率耗散 2 W
封装/外壳 SOT-223
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 450 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 6 nC
栅源电压(最大值) �30 V
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 450 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :600mA
Drain Source Voltage Vds :450V
On Resistance Rds(on) :3.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3.75V
功耗 :2W
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :4
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg) 0.011
Tariff No. 85412900

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