STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | PowerFlat™ (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 30 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 65W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 668pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-13169-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 7.8 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 通道数 | 2 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22.5 mOhms |
| 封装/外壳 | PowerFLAT-5x6-8 |
| 配置 | Dual |
| 技术 | Si |
| P（ TOT ） | 65 W |
| R（ THJC ） | 2.3 K/W |
| I(D)at Tc=25°C | 7.8 A |
| 包装 | PwFLAT5x6 |
| 汽车 | AEC-Q(101) |
| Q（克） | 13 nC |
| Fast bodydiode | NO |
| Logic level | YES |
| 安装 | SMD |
| RDS(on)at 10V | 30 mOhm |
| V（ DS ） | 60 V |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| Configuartion | N+N-CH |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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