stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power Flat |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 78.5 A |
| RDS -于 | 6.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±22 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.8 ns |
| 典型上升时间 | 18 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 典型下降时间 | 4 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 78.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerFlat™ (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.5 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 72W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1500pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-12271-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 通道数 | 2 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.9 mOhms |
| 封装/外壳 | PowerFLAT-5x6-8 |
| 配置 | Dual |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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