STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.1A (Ta), 12A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 5-PowerFlat™ HV (8x8) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 310 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 110W |
| 封装/外壳 | 5-PowerVDFN |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1000pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-11847-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 35nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 8 x 8 x 0.95mm |
| 身高 | 0.95mm |
| 长度 | 8mm |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电阻 | 0.31 Ω |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大门源电压 | ±25 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PowerFLAT |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 35 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 1000 pF @ 50 V |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 宽度 | 8mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 25 V |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| RDS（ON） | 310 mOhms |
| 功率耗散 | 110 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :12A |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :0.26ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :110W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PowerFLAT |
| No. of Pins | :5 |
| MSL | :MSL 3 - 168 hours |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.03 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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