STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 2000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 620V |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 875pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-12265 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 34nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 10.75mm |
| 身高 | 10.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A |
| 最大漏源电阻 | 1.2 Ω |
| 最大漏源电压 | 620 V |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 最大功率耗散 | 90 W |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | I2PAK |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 34 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 875 pF V @ 50 |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 典型导通延迟时间 | 22 ns |
| 宽度 | 4.6mm |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :5.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :620V |
| On Resistance Rds(on) | :0.95ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3.75V |
| 功耗 | :90W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-262 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.15 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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