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Thumbnail STGF10NC60KD Thumbnail STGF10NC60KD Thumbnail STGF10NC60KD Thumbnail STGF10NC60KD
厂商型号:

STGF10NC60KD

芯天下内部编号:
390-STGF10NC60KD
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220FP
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 9 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-220FP
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 9
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
Package Width 4.6(Max)
标准包装名称 TO-220F
Package Height 16.4(Max)
最大功率耗散 25000
渠道类型 N
封装 Tube
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
Package Length 10.4(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 19nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 9A
安装类型 Through Hole
开关能量 140µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 17ns/72ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220FP
反向恢复时间(trr ) 22ns
功率 - 最大 25W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
测试条件 390V, 5A, 10 Ohm,15V
其他名称 497-5114-5
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 30A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
产品种类 IGBT Transistors
工厂包装数量 1000
连续集电极电流Ic最大 9 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 25 W
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
长度 10.4mm
最大栅极发射极电压 ±20V
配置
最高工作温度 +150 °C
高度 16.4mm
通道类型 N
安装类型 通孔
最低工作温度 -55 °C
开关速度 1MHz
最大功率耗散 25 W
宽度 4.6mm
封装类型 TO-220FP
最大集电极-发射极电压 600 V
引脚数目 3
尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
晶体管配置
最大连续集电极电流 9 A
系列 600-650V IGBTs
品牌 STMicroelectronics
身高 9.3 mm
长度 10.4 mm
技术 Si
Pd - Power Dissipation 25 W
连续集电极电流 6 A

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