stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4ISOTOP |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 100 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | ISOTOP |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 |
| 最大连续集电极电流 | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | ISOTOP |
| Package Height | 9.1(Max) |
| 最大功率耗散 | 260000 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| Package Width | 25.5(Max) |
| PCB | 4 |
| Package Length | 38.2(Max) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 输入电容（Cies ） @ Vce时 | 4.7nF @ 25V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100A |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.6V @ 15V, 40A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | ISOTOP |
| 功率 - 最大 | 260W |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 输入 | Standard |
| NTC热敏电阻 | No |
| 其他名称 | 497-8781-5 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 100 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.5 V |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 连续集电极电流在25 C | 50 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 260 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 100 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 600 V |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度分类 | Military |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
| 包装类型 | ISOTOP |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 100 A |
| 晶体管类型 | :IGBT |
| DC Collector Current | :100A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :2.5V |
| 功耗 | :260W |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :600V |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :ISOTOP |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Ic Continuous a Max | :50A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Power Dissipation Max | :260W |
| Pulsed Current Icm | :250A |
| 上升时间 | :17ns |
| 端接类型 | :SMD |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Voltage Vces | :600V |
| Weight (kg) | 0.00004 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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