stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3D2PAK |
| 配置 | Single |
| 最大集电极发射极电压 | 382 V |
| 最大连续集电极电流 | 40 A |
| 最大栅极发射极电压 | 12 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大栅极发射极电压 | 12 |
| 最大连续集电极电流 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| Package Width | 9.35(Max) |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| Package Height | 4.6(Max) |
| 最大功率耗散 | 200000 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大集电极发射极电压 | 382 |
| 标签 | Tab |
| PCB | 2 |
| Package Length | 10.4(Max) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 栅极电荷 | 46nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 40A |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 开关能量 | 5mJ (on), 12.9mJ (off) |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 1.0µs/12.1µs |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2V @ 4.5V, 20A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 442V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 输入类型 | Logic |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 测试条件 | 320V, 20A, 1 kOhm, 5V |
| 其他名称 | 497-4351-2 |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 80A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | +/- 660 uA |
| 连续集电极电流Ic最大 | 40 A |
| 连续集电极电流在25 C | 40 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 200 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输入类型 | Standard |
| 系列 | PowerMESH™ |
| 测试条件 | 320V, 20A, 1 kOhm, 5V |
| 开关能量 | 5mJ (on), 12.9mJ (off) |
| 电流 - 集电极脉冲 （Icm） | 80A |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2V @ 4.5V, 20A |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 闸极电荷 | 46nC |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 40A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 442V |
| 系列 | STGB20NB41LZ |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| 身高 | 4.6 mm |
| 长度 | 10.4 mm |
| 技术 | Si |
| 连续集电极电流 | 20 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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