STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 栅极电荷 | 24nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 25A |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 标准包装 | 1,000 |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 1.6V @ 4V, 6A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 390V |
| 供应商设备封装 | TO-263 (D²Pak) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 输入类型 | Logic |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 其他名称 | 497-14035-2 |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 40A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 625 uA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 连续集电极电流Ic最大 | 25 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 425 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 150 W |
| 最大栅极发射极电压 | 16 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 25 A |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装类型 | D2PAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 工作温度（最大） | 175C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| 渠道类型 | N |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | 16 V |
| 弧度硬化 | No |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 700ns/4.3µs |
| 测试条件 | 300V, 10A, 1 kOhm, 5V |
| 输入类型 | Logic |
| 系列 | PowerMESH™ |
| 电流 - 集电极脉冲 （Icm） | 40A |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 1.6V @ 4V, 6A |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 闸极电荷 | 24nC |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 390V |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大栅极发射极电压 | 16V |
| 配置 | 单 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 高度 | 4.6mm |
| 通道类型 | N |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 宽度 | 9.35mm |
| 封装类型 | D2PAK |
| 最大集电极-发射极电压 | 425 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续集电极电流 | 25 A |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 系列 | 300-400V IGBTs |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Pd - Power Dissipation | 150 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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