STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| Maximum Drain Source Resistance | 1300@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220FP |
| 最大功率耗散 | 30000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.3 Ohm @ 2.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 880pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-12424 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 35nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 5.4 A |
| RDS（ON） | 1.3 Ohms |
| 功率耗散 | 30 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 35 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 54 ns |
| 上升时间 | 15 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 22 ns |
| 栅源电压（最大值） | ?30 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220FP |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 650 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Qg - Gate Charge | 35 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.3 Ohms |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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