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Thumbnail STF32N65M5 Thumbnail STF32N65M5 Thumbnail STF32N65M5
厂商型号:

STF32N65M5

芯天下内部编号:
390-STF32N65M5
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220FP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 650 V
最大连续漏极电流 24 A
RDS -于 119@10V mOhm
最大门源电压 ±25 V
典型导通延迟时间 53 ns
典型上升时间 12 ns
典型下降时间 16 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
最大门源电压 ±25
包装宽度 4.6(Max)
PCB 3
最大功率耗散 35000
最大漏源电压 650
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 119@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220FP
标准包装名称 TO-220F
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.4(Max)
引脚数 3
包装高度 16.4(Max)
最大连续漏极电流 24
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 50
最小起订量 1000
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 24A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 650V
供应商设备封装 TO-220FP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 119 mOhm @ 12A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 35W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 3320pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 72nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
身高 16.4mm
长度 10.4mm
最大漏源电阻 0.119 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 35 W
包装类型 TO-220FP
典型栅极电荷@ VGS 72 nC @ 10 V
典型输入电容@ VDS 3320 pF @ 100 V
典型关闭延迟时间 53 ns
宽度 4.6mm
安装风格 Through Hole
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 25 V
连续漏极电流 24 A
RDS(ON) 119 mOhms
功率耗散 35 W
最低工作温度 - 55 C
栅极电荷Qg 72 nC
上升时间 12 ns
漏源击穿电压 650 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 16 ns
安装类型 通孔
类别 功率 MOSFET
长度 10.4mm
典型输入电容值@Vds 3320 pF V @ 100
系列 MDmesh M5
通道模式 增强
高度 16.4mm
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 119 mΩ
最大栅阈值电压 5V
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
通道类型 N
最大功率耗散 35 W
最大栅源电压 ±25 V
宽度 4.6mm
尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
最小栅阈值电压 3V
最大漏源电压 650 V
典型关断延迟时间 53 ns
封装类型 TO-220FP
最大连续漏极电流 24 A
引脚数目 3
典型栅极电荷@Vgs 72 nC V @ 10

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